紫外负型光刻胶 型号:BN-303
BN303系列紫外负型光刻胶主要用大规模集成电路及各类半导体器件芯片的光刻，该系列光刻胶分辨高、感光速度快、粘附性好、抗腐蚀性强。对二氧化硅、多晶硅和金属层具有较好的粘附性和抗湿法腐蚀能力，在较高膜厚下使用仍具有高分辨率。
⒈ 特点:
⑴ 高分辨率，高感光灵敏度;
⑵ 优良的粘附性;
⑶ 优良的抗腐蚀能力;
⑷ 操作宽容度大;
⑸ 针孔密度低。
⒉ 性质:
该产品为浅黄色，稍有粘性的清亮液体，易溶于苯类溶剂，在酮类、醇类溶剂中能析出絮状固体。在光和热作用下，其中交联剂分解成游离基，能与环化胶中的不饱和键加成形成网状结构，故产品应在常温避光储存。该系列产品具有以下特点：
⑴ BN303-30、BN303-45:
低粘度，高固含，具有极好的分辨能力;
⑵ BN303-60:
具有较好的分辨能力和较高的热稳定性，在适宜的条件下可光刻出２μm线条与间距;
⑶ BN303-60(H):
该产品在膜厚较高时，有很好的分辨率和抗蚀性;
⑷ BN303-100:
具有良好的粘附性和抗蚀性，显影留膜率高，能形成较厚的涂层。
⒊ 用途:
⑴ BN303-30、BN303-45:
产品洁净度高，适用于LSI工艺;
⑵ BN303-60:
对酸性及碱性腐蚀液的抗蚀能力都较好，产品洁净度高，可用于大规模集成 电路光刻工艺制作;
⑶ BN303-60(H):
产品洁净度高，适用于LSI工艺;
⑷ BN303-100:
适用于分立器件中深腐蚀加工等。
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